电子及计算机工程课程

ECE
121
小时
1
电子与计算机工程概论

介绍电气和计算机工程学科、专业、工程设计过程、这些学科所需的数学、基于计算机的建模和仿真工具,以及专业职责。

先决条件: 数学110
ECE
225
小时
4
电路

电路分析的物理概念和数学方法电路的直流、暂态和正弦稳态分析;包括实验室实验。

ECE
320
小时
3.
Fundmtl电气工程师

介绍电路分析,方法,电阻电路,交流电路,一阶瞬态,交流电源,运算放大器和机器。不向电子工程、计算机工程专业的学生开放,也不向已经取得学分的学生开放ECE 225

先决条件:PH值106PH值126)和(数学227数学247),数学238
ECE
326
小时
3.
电网络

电路对瞬态信号的响应,包括确定性和随机信号。电路和微分方程的拉普拉斯变换解技术。拉普拉斯变换和傅里叶变换的关系。电路和系统的频率响应和表示。电路元件不确定性建模。

先决条件: ECE 225数学238数学355
ECE
327
小时
3.
音频网络和信号

电路对瞬态信号的响应,包括确定性和随机信号。为解决和建模电路和音频网络的拉普拉斯变换和傅立叶方法。电路和系统的频率响应和表示。电路元件不确定性建模。音频信号处理专用网络和设备。

先决条件: ECE 225数学355
ECE
330
小时
3.
介绍。半导体设备

半导体器件物理,p-n结,肖特基二极管,BJT, MOS电容器,MOSFET和光电子器件。微电子制造技术简介。

先决条件: PH值253ECE 225
先决条件(s)和并发性: ECE 225
ECE
332
W
小时
4
电子产品我

半导体材料与特性,p-n结的基本原理,二极管,二极管电路与操作,信号发生器,整流电路与波形整形电路,双极和场效应晶体管,MOSFET,晶体管直流电路分析和基本晶体管放大器。要想通过这门课程,熟练的写作是必需的。一个不具备高年级学生通常要求的写作技能的学生,无论他在课程的其他方面表现得多好,也不会获得及格分数。包括实验室实验。

先决条件: ECE 225和(EN 102EN 103EN 121
写作
ECE
333
W
小时
4
电子二世

运算放大器,bts, mosfet,集成电流偏置和有源负载,差分和多级放大器,频率响应,反馈和稳定性,功率放大器,数字电路介绍。这个实验室处理说明电子学概念的实验。要想通过这门课程,熟练的写作是必需的。一个不具备高年级学生通常要求的写作技能的学生,无论他在课程的其他方面表现得多好,也不会获得及格分数。包括实验室实验。

先决条件: ECE 332
写作
ECE
340
小时
4
电磁学

静电学,静磁学,麦克斯韦方程,平面波,导波和辐射。

ECE
350
小时
3.
电力及机械

单、三相电力系统分析。机电设备的理论和操作,包括磁路,变压器,以及直流和交流旋转机器。电力电子学基础。

先决条件: ECE 225ECE 320
ECE
370
C
小时
3.
信号与系统

连续和离散信号和系统的时域和频域分析;傅里叶积分,傅里叶级数,z变换。数值实现使用MatLab。要想在这门课上及格,必须精通计算机。

先决条件: ECE 225和(CS 100CS 110RRS 101
计算机科学
ECE
380
小时
4
数字逻辑

数字系统,布尔代数,逻辑函数和门,组合逻辑系统的设计,触发器,同步顺序系统的设计,迭代网络。包括实验室实验。

先决条件: CS 100CS 110RRS 101
ECE
383
C
小时
4
微型计算机

微处理器,微控制器,汇编语言编程,中断,轮询和硬件接口。要想在这门课上及格,必须精通计算机。包括实验室实验。

先决条件: ECE 380
计算机科学
ECE
399
小时
1 - 5
本科生科研人员

欧洲经委会系为精选的本科生提供机会,让他们积极参与由我们的教师和研究生领导的研究和开发项目。这个机会为本科生提供了实际的研究经验,现代研究实践的知识,和先进的技术技能。学生的评估以及格/不及格为基础。

先决条件:导师同意。
ECE
408
小时
3.
通信

模拟和数字通信系统,随机信号,采样,滤波,模数编码,高级数字调制/解调,源编码/解码,信道编码/解码,多路复用和系统性能分析。

先决条件: 数学355ECE 370
ECE
409
小时
1
通信实验室

通信系统的建模与设计。熟悉专用通信设备和技术。正确使用实验室仪器。

先决条件: ECE 370ECE 408
先决条件(s)和并发性: ECE 408
ECE
430
小时
3.
固态设备

半导体器件的固态物理,p-n结,金属-半导体结,JFET/MESFET, MOSFET, BJT和固态器件的非理想行为。有机薄膜器件,包括有机太阳能电池、薄膜晶体管、发光二极管及其在柔性显示器中的应用。

先决条件: ECE 330
ECE
438
小时
3.
Intgr电路

用于半导体器件制造的加工工具的研究。主题包括半导体基本原理、半导体器件制造工艺、互连和触点、集成电路封装和芯片成品率。

先决条件: ECE 333MTE 271
ECE
439
小时
3.
薄膜技术

晶体结构和缺陷、薄膜成核和生长模型、多晶和外延薄膜的生长、真空科学技术、物理和化学气相沉积、溶液基方法和薄膜表征技术。

先决条件: ECE 225PH值253
ECE
440
小时
3.
电磁波

电磁辐射、传播和散射的数学和物理学。涉及有限和无限结构、波导、天线和媒体的边值问题。

先决条件: ECE 340
ECE
451
小时
3.
电力电子

详细研究电力电子变换器和系统的理论和运行。使能功率半导体开关设备概述。介绍变频器的反馈控制。机械传动基本面。

先决条件: ECE 332ECE 350
ECE
452
小时
1
电力电子实验室

在三相电力系统和电机方面有实验室工作经验。具有电力电子变换器、系统和机械传动的理论和操作的实验室经验。

先决条件: ECE 332ECE 350
先决条件(s)和并发性: ECE 451
ECE
453
小时
3.
电力系统

电力系统基本概念和单位量;输电线路、变压器及旋转机械造型;功率流;电力系统的对称分量;故障电力系统分析。

先决条件: ECE 350
ECE
454
小时
1
电力系统实验室

电力系统和机器设备的测试和分析,以及使用设备的系统设计。

先决条件: ECE 350ECE 453
先决条件(s)和并发性: ECE 453
ECE
455
小时
3.
机电系统

机械、电气、液压和混合系统的静态和动态建模、分析和仿真。MATLAB和SIMULINK模型的开发与仿真。

先决条件: ECE 225数学238
ECE
461
小时
3.
量子阱电子与器件

半导体微结构的能级与波函数包络函数近似;超晶格量子井;激子;光电特性;选择规则;量子约束斯塔克效应;Wannier-Stark本地化;场效应晶体管,隧穿器件,量子阱激光器,电光调制器和量子阱亚带间光电探测器。

先决条件: ECE 330PH值253
ECE
462
小时
3.
半导体光电子学

元素和化合物半导体;半导体物理性质基础;固体物理;光学复合与吸收;发光二极管;量子阱激光器;量子点激光器;蓝色激光;半导体调节器;光电探测器; semiconductor solar cells; semiconductor nanostructure devices.

先决条件: PH值253
ECE
463
小时
3.
磁性材料与器件

抗磁性和顺磁性、铁磁性、反铁磁性、铁磁性、磁性各向异性、畴和磁化过程、细颗粒和薄膜以及磁化动力学。

先决条件: ECE 340
ECE
466
小时
3.
纳米技术基金

电子束光刻、聚焦离子束、光刻和纳米压印的纳米制造;纳米结构的显微镜,包括SEM, EDX, TEM, AFM, STM;基于纳米结构材料(碳纳米管和金属氧化物纳米材料)的纳米级器件。

先决条件: ECE 330PH值253
ECE
475
小时
3.
控制系统分析

经典与现代反馈控制系统方法;稳定;博德,根轨迹,状态变量和计算机分析。

先决条件: ECE 326
ECE
476
小时
1
控制系统实验室

反馈控制系统及部件的实际分析与设计电气、机械和机电系统。

先决条件: ECE 326
先决条件(s)和并发性: ECE 475
ECE
479
小时
3.
数字控制系统

离散时间控制系统中的频率和时间方法连续时间信号的采样,稳定性,变换设计技术,状态变量分析和设计技术。

先决条件: 数学237ECE 370ECE 475
ECE
480
小时
3.
数字系统设计

数字系统设计与硬件描述语言,可编程实现技术,电子设计自动化设计流程,设计考虑和约束,测试设计,片上系统设计,IP核,可重构计算和数字系统设计实例和应用。

先决条件: ECE 383.并修课程:ECE 481
ECE
481
小时
1
数字系统设计实验室

逻辑设计和仿真通过硬件描述语言,使用电子设计自动化工具,和CPU设计。

先决条件:一个也没有。并修课程:ECE 480
先决条件(s)和并发性: ECE 480
ECE
482
小时
3.
Comp Visn挖掘图像过程

介绍计算机视觉和数字图像处理,重点介绍图像表示、变换、滤波、压缩、边界检测和模式匹配。

先决条件: 数学355和ECE 285
ECE
483
小时
3.
机器学习概论

机器学习是一种研究方法,它允许计算机从数据中学习并在无需明确编程的情况下行动。本课程介绍了机器学习,涵盖了各种监督和非监督学习技术、降维方法和学习算法的评估。

先决条件: 数学355或教师同意。
ECE
484
小时
3.
计算机体系结构

基本计算机组织,计算机算法,汇编语言,机器语言,简单和流水线中央处理器组织,内存系统层次结构,测量计算机性能。

先决条件: ECE 383
ECE
485
小时
3.
可编程序逻辑控制器

可编程逻辑控制器,梯形逻辑编程和PLC系统基础,先进的PLC操作,以及相关的课题,包括网络,控制应用和人机界面设计。

先决条件: ECE 383
ECE
486
小时
3.
嵌入式系统

将微处理器集成到数字系统中。包括硬件接口、总线协议和外围系统、嵌入式和实时操作系统、实时约束、网络和内存系统性能。

先决条件: ECE 383.并修课程:ECE 487
ECE
487
小时
1
嵌入式系统实验室

项目提供硬件接口、系统级设计、实时概念和内存系统性能方面的实践经验。

先决条件: ECE 383.并修课程:ECE 486
ECE
488
小时
3.
计算智能

计算智能是一门学科,它依靠生物启发的计算来解决现实世界的问题,否则用经典工程方法是不可行或不可能解决的。本课程将涵盖计算智能的基本技术,并研究在实际工程问题中的实际应用。

先决条件: 数学355或教师同意。
ECE
491
小时
1 - 8
特殊问题

对一个或多个问题的调查,通常涉及教员的研究。学分是基于个人作业的。

ECE
492
小时
2
顶石设计我

首先,两门课程的顺序提供设计经验,通过顶石设计,一个团队为基础的两个学期的设计项目。此外,第一学期的课程将包括设计方法论、工程伦理、社会影响、项目经济学和管理工具。

先决条件: ECE 333ECE 408ECE 409;或ECE 451ECE 452;或ECE 453ECE 454;或ECE 475ECE 476;或ECE 480ECE 481;或ECE 486ECE 487
先决条件(s)和并发性: ECE 333
ECE
493
小时
1 - 8
选定的主题

电子或计算机工程各领域的特殊课程,视需要而定。学分以课程要求为准。

ECE
494
小时
2
顶石设计二

第二门课程,通过顶石设计提供设计经验,以团队为基础的两个学期的设计项目。

先决条件: ECE 492
ECE
508
小时
3.
通信

模拟和数字通信系统,随机信号,采样,滤波,模数编码,高级数字调制/解调,源编码/解码,信道编码/解码,多路复用,系统性能分析。

先决条件: ECE 370数学355
ECE
509
小时
1
通信实验室

通信系统的建模与设计。熟悉专用通信设备和技术。正确使用实验室仪器。

先决条件: ECE 370数学355
先决条件(s)和并发性: ECE 508
ECE
530
小时
3.
固态设备

半导体器件的固态物理,PN结,金属半导体,JFET/MESFET, MOSFET, BJT,和固态器件的非理想行为。有机薄膜器件,包括有机太阳能电池、薄膜晶体管、发光二极管及其在柔性显示器上的应用。

先决条件: ECE 330
ECE
538
小时
3.
集成电路原理

用于半导体器件制造的加工工具的研究。主题包括半导体基本原理、半导体器件制造工艺、互连和触点、集成电路封装和芯片成品率。口头报告和前期分析工作。

ECE
539
小时
3.
薄膜技术

晶体结构和缺陷,薄膜成核和生长模型,多晶和外延薄膜的生长,真空科学技术,物理和化学气相沉积,溶液基方法,薄膜表征技术。

先决条件: ECE 225PH值253
ECE
540
小时
3.
电磁波

电磁辐射、传播和散射的数学和物理学。涉及有限和无限结构、波导、天线和媒体的边值问题。

先决条件: ECE 340
ECE
551
小时
3.
电力电子

详细研究电力电子变换器和系统的理论和运行。功率半导体开关器件启用概述。介绍变频器的反馈控制。机驱动器基本面。

先决条件: ECE 332ECE 350
ECE
552
小时
1
电力电子实验室

在三相电力系统和电机方面有实验室工作经验。具有电力电子变换器、系统和机械传动的理论和操作的实验室经验。

先决条件: ECE 350ECE 332
先决条件(s)和并发性: ECE 551
ECE
553
小时
3.
电力系统

电力系统基本概念和单位量;输电线路、变压器及旋转机械造型;功率流;电力系统的对称分量;故障电力系统分析。

先决条件: ECE 350
ECE
554
小时
1
电力系统实验室

电力系统和机器设备的测试和分析,以及使用设备的系统设计。

先决条件: ECE 350
先决条件(s)和并发性: ECE 553
ECE
555
小时
3.
机电系统

机械、电气、液压和混合系统的静态和动态建模、分析和仿真。MATLAB和SIMULINK模型的开发与仿真。

先决条件: ECE 225数学238
ECE
561
小时
3.
量子阱电子与器件

半导体微结构的能级与波函数包络函数近似;超晶格量子井;激子;光电特性;选择规则;量子约束斯塔克效应;Wannier-Stark本地化;场效应晶体管,隧穿器件,量子阱激光器,电光调制器,量子阱亚带间光电探测器。

先决条件: ECE 330PH值253
ECE
562
小时
3.
半导体光电子学

元素和化合物半导体;半导体物理性质基础,固体物理,光学复合与吸收,发光二极管,量子阱激光器,量子点激光器,蓝色激光器,半导体调制器,光探测器,半导体太阳能电池和半导体纳米结构器件。

先决条件: PH值253
ECE
563
小时
3.
磁性材料与器件

抗磁性和顺磁性、铁磁性、反铁磁性、铁磁性、磁性各向异性、畴和磁化过程、细颗粒和薄膜、磁化动力学。

先决条件: ECE 340
ECE
579
小时
3.
数字控制系统

离散时间控制系统的频域和时域方法连续时间信号的采样,稳定性,变换设计技术,状态变量分析和设计技术。

ECE
580
小时
3.
数字系统设计

数字系统设计用硬件描述语言,可编程实现技术,电子设计自动化设计流程,设计考虑和约束,测试设计,芯片上的系统设计,IP核,可重构计算,数字系统设计实例和应用。

ECE
581
小时
1
数字系统设计实验室

逻辑设计和仿真通过硬件描述语言,使用电子设计自动化工具,和CPU设计。

ECE
582
小时
3.
Comp Visn挖掘图像过程

介绍计算机视觉和数字图像处理,重点介绍图像表示、变换、滤波、压缩、边界检测和模式匹配。

先决条件: 数学355和CS 124
ECE
584
小时
3.
阿德计算机架构师

计算机架构,计算机设计,内存系统设计,并行处理概念,超级计算机,网络和多处理系统。

ECE
585
小时
3.
可编程序逻辑控制器

可编程逻辑控制器,梯形逻辑编程和PLC系统基础,先进的PLC操作和相关课题,包括网络,控制应用,人机界面设计。

先决条件: ECE 383
ECE
586
小时
3.
嵌入式系统

将微处理器集成到数字系统中。包括硬件接口,总线协议和外围系统,嵌入式和实时操作系统,实时约束,网络和分布式过程控制。

先决条件: ECE 383.并修课程:ECE 587
ECE
587
小时
1
嵌入式系统实验室

具有微控制器,接口,数字控制系统,总线协议和外围系统,实时约束,嵌入式和实时操作系统,分布过程控制的设计和实现经验。

先决条件: ECE 383并修课程:ECE 586
ECE
588
小时
3.
计算智能

计算智能是一门学科,它依靠生物启发的计算来解决现实世界的问题,否则用经典工程方法是不可行或不可能解决的。本课程将涵盖计算智能的基本技术,并研究在实际工程问题中的实际应用。

先决条件: 数学355或教师同意。
ECE
593
小时
1 - 5
特别的主题

具有专门化性质的高级主题。

ECE
598
小时
1 - 6
Non-Thesis研究

没有可用的描述

ECE
599
小时
1 - 12
论文研究

没有可用的描述

ECE
637
小时
3.
固体工程

涵盖固体物理和量子力学的基础,以解释半导体器件的设计和操作的物理原理。第二部分涵盖半导体微器件和纳米器件的应用,如二极管、晶体管、激光器和包含量子结构的光探测器。

先决条件: PH值253
ECE
662
小时
3.
先进的纳米科学

先进的量子物理学;纳米技术、分子和纳米电子学基础;在纳米光子学基础;光与物质的相互作用;纳米结构表征;生物。

先决条件: PH值253
ECE
663
小时
3.
自旋电子

电子自旋。巨磁阻的理论。磁隧穿结中的自旋隧穿现象。从自旋结构到自旋电子。磁化配置图像。自旋电子器件用磁性材料。自旋输运与磁性纳米器件的设计。

先决条件: ECE 463ECE 563
ECE
693
小时
1 - 9
特别的主题

具有专门化性质的高级主题。

ECE
699
小时
1 - 12
论文研究

没有可用的描述